项目概况
本项目年产 40 万片 6 吋集成电路用（SI 型）砷化镓晶片，预算总投资 3.66
亿元，占地 130 亩，职工定员 230 人；平均年销售收入 2.84 亿元，平均年税
收 5064 万元，平均年利润 8115 万元；产品销售毛利率 44.5%，销售纯利率
28.7%；投资利润率 22.2%，项目全投资内部收益率（IRR）46.7 %，投资回
收期 3.62 年。
本项目分两期投资建设：
第一期年产 20 万片砷化镓晶片，总投资 2.11 亿元，其中固定资产 18,533 万
元，流动资金 1,500 万元，建设期 1 年。
第二期年产 20 万片砷化镓晶片，总投资 1.55 亿元，其中固定资产 13,248 万
元，流动资金 1,500 万元，建设期 9 个月。
主要工艺流程包括多晶合成、单晶生长、切磨抛等工序。
单晶生长工艺路线采用目前国际最先进且成熟的 VGF 法（垂直梯度冷却法）。
本项目建成后，公司将成为全球第 4 家半绝缘型砷化镓晶片生产厂商，生产
规模名列全球第二。
